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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
59
68
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
1,702.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
68
59
Velocidad de lectura, GB/s
3,886.6
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,702.6
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
654
2025
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
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