RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
64
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3072
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link