RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
63
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
63
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2543
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link