RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
50
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
2583
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link