RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Comparar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
10.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
50
Por volta de -100% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
25
Velocidade de leitura, GB/s
15.3
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
10.9
10.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2512
2583
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD3L-U4G28HA-16K 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link