RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сравнить
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB против Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
50
Около -100% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
25
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
14.3
Скорость записи, Гб/сек
10.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2512
2583
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link