RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
71
Около -145% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
3480
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link