RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3480
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link