RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
60
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
11.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2359
2824
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link