RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2298
2987
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link