RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2911
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Mushkin 996902 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link