RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2664
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Jinyu 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link