RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
35
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
3202
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link