RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
2706
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link