RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
47
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
36
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2700
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link