RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2767
3531
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link