RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Porównaj
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
55
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR5
Opóźnienie w PassMark, ns
55
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2701
2812
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link