Porównanie pamięci RAM Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Wynik ogólny

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 21.4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,622.0 14.3

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

37 77

Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 5300

Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

763 3448

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns