RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
77
Около -108% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
21.4
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3448
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link