RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2865
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link