RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3415
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link