RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3465
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link