RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3465
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link