RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2860
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link