RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
38
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
18
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3663
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link