RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
38
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3036
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link