RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3460
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link