RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
59
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1968
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link