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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Comparar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
59
Por volta de 36% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
15.5
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
59
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.0
9.0
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2283
1968
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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