RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2505
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link