RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3717
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link