RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3717
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451R7AFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link