RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
38
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3380
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link