RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
38
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
21
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3380
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingston 99U5403-003.A00LF 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link