RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4322
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston KPN424-ELJ 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link