RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
4322
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link