RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3091
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link