RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3091
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link