RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1617
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link