RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3331
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link