RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3331
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link