RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
2.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
60
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
1505
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link