RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
60
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
2.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
60
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
7.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
1505
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-011.A00LF 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FED 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905295-015.B00LF 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link