RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3007
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link