RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3141
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link