RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingston XW21KG-MIE2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
33
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3141
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link