RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2833
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link