RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 19200
    Около 1.33% выше полоса пропускания
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 38
    Около -36% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.1 left arrow 15.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.1 left arrow 12.0
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    38 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.5 left arrow 17.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.0 left arrow 13.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2283 left arrow 2833

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
модули RAM
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
модули RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
модули RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 2OZ 4GB
модули RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
модули RAM