RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
54
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
54
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2354
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link