RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2468
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link