RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2384
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link