RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
2882
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link